本产品是一款表面入射型铟镓砷雪崩光电探测器(APD)。探测器基于 InP 衬底，电极结构可选共面和异面型号，感光范围为 900~1700nm，具有高响应度、高可靠性、低暗电流等特性，芯片的感光窗口直径可选择。可提供裸芯、TO、尾纤和法兰等多种形式产品，可接受定制化开发。
产品型号：IFY10GA25-C、IFY10GA30-C、IFY10GA25-D、IFY10GA40-D。
产品特点：高速APD、高响应度、高增益、高可靠性。
应用领域：高速光通信、光纤传感、弱光检测。
IFY10GA25-C
本产品是一款表面入射型 InGaAs 雪崩光电探测器。探测器基于 InP 衬底，为 GSG PN 共面电极的平面器件结构，有裸片、TO、尾纤和法兰等多种型号。本产品具有直径 22µm 的入光窗口，探测波长范围为 900~1700nm，具有高响应度、高可靠性和低暗电流等特性。主要应用于高速光通信、弱光检测、距离探测和光纤传感等领域。
以上为裸芯片测试数据，封装寄生参数请咨询销售工程师。
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